ESD设计要点-低功耗LCD-液晶模块LCM
2021-02-25

室外以太网口防护方案的设计思路:


以太网防护方案的设计需要考虑到雷击浪涌以及陶瓷放电管一级防护之后的残压,因此一般会采用GDT在变压器前端做共模 (八线)浪涌防护;并选择结电容低、反应时间快,兼顾防护静电功能的TVS管吸收差模能量。 深圳低功耗LCD


TFT模组 LCD液晶模组


百兆以太网防护方案(一)




陶瓷气体放电管:

直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。

直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管TVS管:

TVS【SLUV2.8-4】 Vrwm:2.8V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):2.0pF,封装:SO-08。 深圳低功耗LCD





百兆以太网防护方案(二)




陶瓷气体放电管:

GDT 直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。

GDT直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管TVS管:

TVSVrwm:3.0V,Vb:4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323。 深圳低功耗LCD

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千兆以太网防护方案(一)




陶瓷气体放电管:

GDT直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ

GDT直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管:

TVS   Vrwm:2.V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):30KV/30KV,结电容(f=1MHz):3.0pF,封装:SOP-08,超低漏电流 深圳低功耗LCD




千兆以太网防护方案(二)


陶瓷气体放电管:

GDT  直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ

GDT 直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管:

TVS  Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323。




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