TFT 屏的设计原理-条形液晶屏-小尺寸OLED-7寸液晶屏
2020-04-23

一、屏设计
2.5inch屏的实例布局如下所示:

上图为61.6×49.3的玻璃基板布局示意图。中间为50.21×37.67的有效领域,即Array图形部分。下端及右侧3个矩形为IC所在位置(COG)。右下方为FPC。
图中所标注尺寸为典型情况,实际尺寸可由客户提供或与客户协商决定。
下面详细解释各个部分的结构及注意点。东莞TFT屏


1. 端子
端子部分的剖面如下图所示(以passivation膜在ITO之上的工艺为例)。
需要注意的是这种同时采用GM与SDM构成端子的设计。由于配线时很可能要分别使用两种金属,如果采用单层金属可能造成相邻端子高度不同而导致与外部接触不良。而双层金属端子设计又使端子处结构复杂,且接触面较多接触电阻增大,应根据实际情况决定。
端子的实际面积由passivation膜的开口决定,这一点在制图时应加以注意。

东莞TFT屏

IC的端子可以根据IC说明书上的管脚尺寸图进行制图,FPC的端子则根据客户的要求,或者选用标准品FPC。测试用的端子由使用的测试探针决定大小。


2. 配线东莞TFT屏
配线主要分两部分:
a. 阵列中Source线与Gate线引出点至IC输出端子的走线
要求是调整线宽使每条走线的电阻相同,以使电路的延时相同。
b. FPC端子至IC输入端子的走线
目标是减少延时,可以把线宽做的较大。不特别要求电阻相同。注意电源线、地线都应该做的较宽,电压差较大的走线之间要增大间距,以减少电蚀现象的发生。


3. 短路环(Short Ring)东莞TFT屏
短路环的设计是为了解决静电破坏(ESD)的问题。
常用的短路环有两种类型:
a. short ring
用一条金属线将Gate Line和Source Line连接起来,达到及时转移电荷的目的。在Rubbing工艺之后将short ring消去。例如可以将SR做在玻璃边缘,消去时可以采用打磨方式或在倒角时去除。
采用哪层金属则由实际工艺中ESD发生最严重的工序决定。用在此工序之前的金属层做SR。一般采用source metal居多。
b. Diode Ring

DR的原理图如上。Vin过高或过低时二极管均导通放电。右方图为TFT构成二极管,使用时将所有GL、SL的Vh、Vl全部连接即可。DR既可以在工艺过程中防ESD,又可以在产品使用过程防干扰,不需要在工艺结束时去除。东莞TFT屏



二、Mask设计东莞TFT屏
mask版上的对位marker,以及屏图形在mask版上的排列。

这是一块NSR L1001G使用的mask示意图。尺寸为152(±0.4)mm×152(±0.4)mm。型号不同的曝光机mask可能不可以通用。
中间的矩形是100×128的有效范围。最大曝光范围为150.15Ø,精度范围是141.42Ø.左侧两个条形是mask识别用条形码。
1. Marker
RxRyRθ三个marker是露光机固有的,做mask的厂家有资料,不需要设计。
需要设计的是图中有效范围下方及右侧Px和Py两个marker,这是分布曝光时对位用的marker。下图就是PxPy的构造图,其中每排矩形必须在500个以上。

曝光机对位时采用两个相对距离固定的镜头来捕捉marker,在一块基板上只要有一对marker距离满足要求就可以正常工作。所以PxPy没有固定的位置,只要设计结果满足上述要求就可以。东莞TFT屏


当采用以GM层为基准对位时,只需要在GM层做出这两个marker。若采用邻层对位则必须每层mask都有marker图形。
2. 屏在mask上的排列
以2.5inch屏为例,布局图如下:

排列时尽量使图形全部进入精确区域。不充分曝光可能导致刻蚀不彻底,引起粉尘污染导致不良。注意屏排列时在某一方向上必须一致,以方便裂片后整条灌注液晶。在边缘空隙处可加入TEG图形和基板对位marker。


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