TFT-LCD教程屏设计-定制LCD-12864液晶模块-深圳华之晶
2020-05-06

上图为 61.6×49.3 的玻璃基板布局示意图。中间为 50.21×37.67 的有效领域,即 Array图形部分。下端及右侧 3 个矩形为 IC 所在位置(COG)。右下方为 FPC。
图中所标注尺寸为典型情况,实际尺寸可由客户提供或与客户协商决定。
下面详细解释各个部分的结构及注意点。定制TFT-LCD

1. 端子
端子部分的剖面如下图所示(以 passivation 膜在 ITO 之上的工艺为例)。需要注意的是这种同时采用 GM 与 SDM 构成端子的设计。由于配线时很可能要分别使用两种金属,如果采用单层金属可能造成相邻端子高度不同而导致与外部接触不良。而双层金属端子设计又使端子处结构复杂,且接触面较多接触电阻增大,应根据实际情况决定。端子的实际面积由 passivation 膜的开口决定,这一点在制图时应加以注意。

IC 的端子可以根据 IC 说明书上的管脚尺寸图进行制图,FPC 的端子则根据客户的要求,或者选用标准品 FPC。测试用的端子由使用的测试探针决定大小。定制TFT-LCD
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2. 配线
配线主要分两部分:
a. 阵列中 Source 线与 Gate 线引出点至 IC 输出端子的走线要求是调整线宽使每条走线的电阻相同,以使电路的延时相同。定制TFT-LCD
b. FPC 端子至 IC 输入端子的走线目标是减少延时,可以把线宽做的较大。不特别要求电阻相同。注意电源线、地线都应该做的较宽,电压差较大的走线之间要增大间距,以减少电蚀现象的发生。
2. 短路环(Short Ring)
短路环的设计是为了解决静电破坏(ESD)的问题。常用的短路环有两种类型:

a. short ring
用一条金属线将 Gate Line 和 Source Line 连接起来,达到及时转移电荷的目的。在 Rubbing 工艺之后将 short ring 消去。例如可以将 SR 做在玻璃边缘,消去时可以采用打磨方式或在倒角时去除。
采用哪层金属则由实际工艺中 ESD 发生最严重的工序决定。用在此工序之前的金属层做 SR。一般采用 source metal 居多。定制TFT-LCD

b. Diode Ring

DR 的原理图如上。Vin 过高或过低时二极管均导通放电。右方图为 TFT 构成二极管,使用时将所有 GL、SL 的 Vh、Vl 全部连接即可。DR 既可以在工艺过程中防 ESD,又可以在产品使用过程防干扰,不需要在工艺结束时去除。

3 .Mask 配置
讲述 mask 版上的对位 marker,以及屏图形在 mask 版上的排列。定制TFT-LCD

这是一块 NSR L1001G 使用的 mask 示意图。尺寸为 152(±0.4)mm×152(±0.4)mm。型号不同的曝光机 mask 可能不可以通用。中间的矩形是 100×128 的有效范围。最大曝光范围为 150.15Ø,精度范围是 141.42Ø.左侧两个条形是 mask 识别用条形码。定制TFT-LCD



a. Marker
RxRyRθ三个marker是露光机固有的,做mask的厂家有资料,不需要设计。需要设计的是图中有效范围下方及右侧 Px 和 Py 两个 marker,这是分布曝光时对位用的 marker。下图就是 PxPy 的构造图,其中每排矩形必须在 500 个以上。

曝光机对位时采用两个相对距离固定的镜头来捕捉 marker,在一块基板上只要有一对marker 距离满足要求就可以正常工作。所以 PxPy 没有固定的位置,只要设计结果满足上述要求就可以。
当采用以 GM 层为基准对位时,只需要在 GM 层做出这两个 marker。若采用邻层对位则必须每层 mask 都有 marker 图形。定制TFT-LCD

b. 屏在 mask 上的排列
以 2.5inch 屏为例,布局图如下:

排列时尽量使图形全部进入精确区域。不充分曝光可能导致刻蚀不彻底,引起粉尘污染导致不良。定制TFT-LCD
注意屏排列时在某一方向上必须一致,以方便裂片后整条灌注液晶。在边缘空隙处可加入 TEG 图形和基板对位 marker。




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